劃痕實驗/細胞遷移可以使用不同的方法在細胞單層創建間隙（稱為“劃痕”）：
插件：在細胞接種前通過將插件/模具放置在培養表面，來形成無殘留的空白區域/劃痕；
刮擦：通過刮擦表面來制造人工“劃痕“機械去除細胞（劃痕分析）
阻抗：通過在指定區域施加電壓來去除細胞而創建間隙
有關如何創建間隙的更多詳細信息和方法，可查看此評論：
W.J. Ashby, A. Zijlstra. Established and novel methods of interrogating two-dimensional cell migration. Integr Biol 2012, 10.1039/c2ib20154b
使用ibidi劃痕插件創建間隙
ibidi提供三種不同規格的劃痕插件用于間隙的創建：ibidi有2孔、3孔和4孔插件（也有預置了2孔、3孔和4孔插件的培養皿）。由于特殊的底部（靜電黏附底部）設計，插件（生物相容硅膠材料）可粘附在培養器皿的表面。移除插件后，可形成無細胞殘留的空白間隙。此種方法使得在沒有任何細胞殘留的情況下，可重復地產生高度限定的空白間隙。
當放置在平滑、干燥的表面上時，Culture-Insert 2 Well提供兩個用于培養細胞的儲液池，兩個儲液池由500μm厚的壁隔開。將細胞接種到儲液池中并培養直至細胞附著并形成單層，從表面移除硅膠插件后會產生兩個被插件中間壁隔開的精確定義的寬度完全相同的細胞區塊?，F在可以通過使用活細胞成像或在不同時間點拍攝照片來監測細胞遷移。
Culture -Insert 3 Well提供三個細胞培養池?？蓜摻▋蓚€各500 µm的無細胞間隙，因此適合分析兩個技術重復或不同細胞類型的遷移。
Culture -Insert 4 Well提供四個細胞培養池。除了四個500 µm無細胞間隙外，還可產生一個1mm的中心間隙。Culture-Insert 4 Well可最多觀察四個技術重復或不同細胞類型的遷移。
使用ibidi Culture-Insert 4 Well進行傷口愈合和遷移測定
ibidi 3孔/4孔兩者都可以在藥物治療或基因沉默/過度表達（例如，通過 CRISPR/Cas9、siRNA、mRNA）后進行細胞遷移分析。重要的是，未經處理的對照細胞可以在同一容器中接種和分析，共享相同的培養基。
與其他間隙產生技術不同，ibidi劃痕插件系列產品還適用于2D侵襲實驗和同時使用兩種、三種甚至四種細胞類型或處理的共培養實驗。
通過刮擦創造間隙
進行劃痕測定時，細胞會生長直至形成單層。然后，用移液管尖端或針頭手動刮擦細胞表面以產生傷口。通過在不同時間點拍攝照片或活細胞成像來監測傷口閉合和細胞遷移。
關于再現性，該方法有一定的缺點：
間隙的寬度在很大程度上取決于施加到移液器尖端的壓力和其尺寸。
刮擦會以不可復制的方式去除表面涂層。這改變了細胞在該區域的粘附和遷移。
去除的細胞以不可重現的方式在劃痕邊緣形成活細胞和死細胞團?；罴毎臄U散會覆蓋遷移的速度。
乍一看，槍刮和放置插件的方法似乎是兩種非常相似的創建無細胞間隙的方法。然而，仔細觀察，這兩種方法可能在重要檢測結果方面的影響存在差異：
與槍頭劃痕檢測相比，ibidi劃痕插件可提供更高的重現性
細胞遷移導致開放區域隨時間變化。使用ibidi Culture-Insert 2 well(左)和使用移液器吸頭刮擦(右)產生間隙的對比。數據來源：德國弗萊堡大學的M. Börries。
使用阻抗的劃痕實驗
ECIS傷口愈合實驗取代了傳統的劃痕實驗。ECIS System不是用移液管尖端機械地破壞細胞層，然后用顯微鏡跟蹤細胞的遷移，而是使用電信號對傷口進行監測，然后監測愈合過程?；谧杩沟膫谟蠈嶒灥膬烖c包括：
•可同時進行多達96次傷口愈合實驗
•直接推導時間常數和傷口愈合速度
•經濟高效的篩選應用，從低通量到高通量
電擊傷前(左)和電擊傷后(右)的細胞層。圓圈標記電極區域，此處細胞暴露在電中
在與250μm電極接觸的一小群細胞上進行點擊傷，從而產生明確的傷口。損傷區域內的細胞密度由阻抗反映，由ECIS系統連續測量。受傷后，電極周圍的健康細胞立即遷移并取代電極上的死細胞，導致測量阻抗值的變化。根據細胞培養基中胎牛血清(FCS)的濃度，在10、13或20小時后再次達到原始細胞密度。
對與250µm電極接觸的少量細胞進行電損傷，從而形成明確的傷口。受傷區域內的細胞密度由阻抗反映，該阻抗由ECIS系統連續測量。受傷后，電極周圍的健康細胞立即遷移并替換電極上的死細胞，導致測量阻抗值發生變化。根據細胞培養基中胎牛血清（FCS）的濃度，在10、13或20小時后再次達到原始細胞密度。
在細胞培養基中使用不同濃度（0%、1%和10%）的FCS對時間依賴性傷口閉合進行基于阻抗的分析
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